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2023-12
离子轰击对膜/基界面的影响
当膜材原子开始沉积时，离子轰击对膜/基界面会产生如下影响:
(1) 物理混合。因为高能离子注人，沉积原子的被溅射以及表面原子的反冲注入与级联碰撞现象，将引起近表面区膜/基界面的基片元素和膜材元素的非扩散型混合，这种混合效果将有利于在膜/基界面间形成“伪扩散层”，即膜/基界面间的过渡层，厚达几微米其中甚至会出现新相。这对提高膜/基界面的附着强度是十分有利的。
(2) 增强扩散。近表面区的高缺陷浓度和较高的温度会提高扩散率。由于表面是点缺陷，小离子有偏析表面的倾向，离子轰击有进一步强化表面偏折的作用并增强沉积原子和基片原子的相互扩散。
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2023-12
磁场在磁控溅射中的作用
磁控溅射主要包括放电等离子体输运、靶材刻蚀、薄膜沉积等过程，磁场对磁控溅射各个过程都会产生影响。在磁控溅射系统中加上正交磁场后，电子受到洛伦兹力的作用而做螺旋径迹运动，必须经过不断的碰撞才能渐渐运动到阳极
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2023-12
PECVD 技术的特点
（1）等离子体增强化学气相沉积温度低。等离子体增强化学气相沉积技术的优势在于它可以在比传统的化学气相沉积低得多的温度下获得单质或化合物薄膜材料。
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2023-12
真空溅射镀膜的复兴与发展
所谓溅就是用能粒子(通常用性气体的正离子) 去击固体(以下称靶材)表面，从而引起靶材表面上的原子（或分子）从其中逸出的一种现象。这一现象是格洛夫(Grove) 于 1842 年在研究阴极腐蚀问题实验时，阴极材料被迁移到真空管壁上而发现的。
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