1.电子元件用薄膜 例如，Ta、Ta2N、Ta-Al-N、Ta-Si、Cr-SiO、NiCr、Sn、Sb金属膜电阻，SiO、SiO2、Al2O3;、Ta2O5;、TiO2、Al、Zn电容以及 Cr、Cu (Au)、Pb-Sn、PbIn、Au、Pt、A1、Au+Pb+In、Pb+Au+Pb、A1+Cu、Zn0、CdS电极等。 2.摄像管中的 SbS2、CdSe、Se-As-Te、ZnSe、PbO、光电导面;SnO2、In2O3; 透明电导膜。半导体元件和半导体集成电路用薄膜 成膜材料有 Ni、Ag、Au-Ge、Ti-Ag-AuAl、AL-Si、AI-Si-Cu、Mo、MoSi、WSi、TiPt-Au、W-Au、MoAu、Cr-Cu-Au半导体膜;SiOz、AlO3、SiN，绝缘膜。 3.电发光元件中的In2O3;+SnO3，透明光导膜，ZnS、ZnS+ ZnSe、ZnS+CdS荧光体和Al电极，Y2O3;SiO2、Si3N4.、Al2O3,绝缘膜。 传感器件的PbO+In2O3;、Pb、NbN、V3Si约夫逊结合膜，Fe-Ni磁泡用膜以及电传感用 Se、Te、CdS、ZnS传感器膜。

影响薄膜生成的因素有: (1) 溅射气体。溅射气体应具备溅射产额高，对靶材呈惰性，价格便宜，易于获得高 纯度等特点。一般来说，氩气是较为理想的溅射气体。 (2)溅射电压及基片电压。这两个参数对膜的特性有重要影响，溅射电压不但影响沉积速率，而且还严重影响沉积薄膜的结构。基片电位直接影响人射的电子流或离子流。若基片接地，则受到等同的电子轰击;若基片悬浮，则在辉光放电区取得相对于地的电位稍负的悬浮电位V1，而基片周围等离子体的电位 V2要高于基片电位，这将引起一定程度的电子和正离子的轰击，导致膜厚、成分和其他特性的变化:若基片有目的地施加偏压，使其按电的极性接受电子或离子，不仅可以净化基片，增强膜的附着力，而且还可以改变膜的结构。在用射频溅射镀膜时，制备导体膜加直流偏压:制备介质膜加调谐偏压。

随着溅射镀膜特别是磁控溅射镀膜技术的日益发展，目前，对何材料都可以通过离子轰击靶材制备薄膜，由于靶材被溅射的过程中将其涂覆到某种基片，对溅射膜的质量有着重要的影响，因此，对靶材的要求也更加严格。在靶材选用上，除了应按膜本身的用途进行选择外，还应考虑如下几个问题： 1.靶材成膜后应具有良好的机械强度和化学稳定性；

射频溅射镀膜的主要特点 a.溅射速率高。如溅射SiO2时，沉积速率可达200nm/min。通常也可达10~100nm/min。 而且成膜的速率与高频功率成正比关系。 b.膜与基体间的附着力大于真空蒸镀的膜层。这是由于向基体内入射的原子平均动能大约为 10eV，而且处于等离子体中的基体会受到严格的溅射清洗致使膜层针孔少、纯度高、膜层致密。 c.膜材适应性广泛，既可是金属也可以是非金属或化合物，几乎所有材料可制备成圆形板状，可长期使用。 d对基体形状要求不苛刻。基体表面不平或存在宽度在 1mm 以下的小狭缝也可溅射成膜。