行业资讯
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2024-01
离子镀涂层的特点及其应用范围
离子镀与蒸发镀、溅射镀相比,最大特点是荷能离子一边轰击基体与膜层,一边进行沉积。荷能离子的轰击作用所产生一系列的效应,主要有如下几点。 ①膜/基结合力(附着力)强,膜层不易脱落 由于离子轰击基体产生的溅射作用,使基体受到清洗,激活及加热,既可去除基体表面吸附的气体和污染层,也可去除基体表面的氧化物。离子轰击时产生的加热和缺陷可引起基体的增强扩散效应,既提高了基体表面层组织结晶性能,也提供了合金相形成的条件;而且较高能量的离子轰击,还可产生一定的离子注入和离子束混合效应。 ②离子镀由于产生良好的绕射性 在压力较高的情况下 (大于或等于1Pa) 被电离的蒸气离子或分子在它到达基体前的路程上将会遇到气体分子的多次碰撞,因此可使膜材粒子散射在基体的周围,从而改善了膜层的覆盖性;而且被电离的膜材粒子还会在电场的作用下沉积在具有负电压基体表面的任意位置上,这一点蒸发镀是无法达到的。 ③镀层质量高 由于离子轰击可提高膜的致密度,改善膜的组织结构,使得膜层的匀度好,镀层组织致密,针孔和气泡少,因此提高了膜层质量。
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12
2024-01
靶材的分类
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08
2024-01
电子工业用薄膜
1.电子元件用薄膜 例如,Ta、Ta2N、Ta-Al-N、Ta-Si、Cr-SiO、NiCr、Sn、Sb金属膜电阻,SiO、SiO2、Al2O3;、Ta2O5;、TiO2、Al、Zn电容以及 Cr、Cu (Au)、Pb-Sn、PbIn、Au、Pt、A1、Au+Pb+In、Pb+Au+Pb、A1+Cu、Zn0、CdS电极等。 2.摄像管中的 SbS2、CdSe、Se-As-Te、ZnSe、PbO、光电导面;SnO2、In2O3; 透明电导膜。半导体元件和半导体集成电路用薄膜 成膜材料有 Ni、Ag、Au-Ge、Ti-Ag-AuAl、AL-Si、AI-Si-Cu、Mo、MoSi、WSi、TiPt-Au、W-Au、MoAu、Cr-Cu-Au半导体膜;SiOz、AlO3、SiN,绝缘膜。 3.电发光元件中的In2O3;+SnO3,透明光导膜,ZnS、ZnS+ ZnSe、ZnS+CdS荧光体和Al电极,Y2O3;SiO2、Si3N4.、Al2O3,绝缘膜。 传感器件的PbO+In2O3;、Pb、NbN、V3Si约夫逊结合膜,Fe-Ni磁泡用膜以及电传感用 Se、Te、CdS、ZnS传感器膜。
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05
2024-01
影响薄膜生成的因素
影响薄膜生成的因素有: (1) 溅射气体。溅射气体应具备溅射产额高,对靶材呈惰性,价格便宜,易于获得高 纯度等特点。一般来说,氩气是较为理想的溅射气体。 (2)溅射电压及基片电压。这两个参数对膜的特性有重要影响,溅射电压不但影响沉积速率,而且还严重影响沉积薄膜的结构。基片电位直接影响人射的电子流或离子流。若基片接地,则受到等同的电子轰击;若基片悬浮,则在辉光放电区取得相对于地的电位稍负的悬浮电位V1,而基片周围等离子体的电位 V2要高于基片电位,这将引起一定程度的电子和正离子的轰击,导致膜厚、成分和其他特性的变化:若基片有目的地施加偏压,使其按电的极性接受电子或离子,不仅可以净化基片,增强膜的附着力,而且还可以改变膜的结构。在用射频溅射镀膜时,制备导体膜加直流偏压:制备介质膜加调谐偏压。
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