在真空蒸发镶与真空离子镇的过程中，将膜材登于 1000°C~2000°C 高温下，使其燕发汽化的装置，称为蒸发源。蒸发源种类较多，蒜发源汽化膜材的原理也各不相同。但是，就其应用特点而言，在设计或应用时，主要应考虑如下几方面问题： ①蒸发源应满足膜材蒸发时具有较大的蒸发速率，并且能存储足够数量的膜材； ②蒸发源应具有较好和较长的使用寿命； ③蒸发源的使用范围应当广泛，既可蒸发金属或合金（如 Al、Ti、Fe. Co. Cr）也可 蒸发化合物（如 SiO、SiO2、Zns 等）； ④蒸发源在结构上应力求简单、易手制作、使用维护方便、运转费用低廉。

基片表面形稅对游膜的生长有着非常重要的彩响。若基片的表面相糙度超来超大，绪合面缺陷也会越来越多，会影响薄膜的附着和生长速率。因此，在真空镂膜开始前，会对基片进行预处理，起到在清洗基片的同时，增大基片表面粗糖度的作用。

①铬靶 铬作为溅射膜材不但易与基材结合有很高的附着力，而且铬与氧化物生成CrO3。膜时，其机械性能、耐酸性能、热稳定性能都较好。此外，铬在不完全氧化状态下还可生成弱吸收膜。将纯度98%以上的铬制成矩形靶材或圆筒形铬靶材已有报道。此外，采用烧结法制成铬矩形靶的技术也已成熟。 ② ITO靶 制备 ITO膜所用的靶材，过去通常采用 In-Sn 合金材料来制靶，然后在镀膜过程中通氧，而后生成ITO膜。这种方法由于反应气体控制较难，制重复性较差。因而，近几年已经被ITO烧结靶所取代。ITO靶材典型的工艺过程是按质量配比，通过球磨法将其充分混合后，再加入专用有机粉合剂将其混合成所要求的形状，并通过加压压实后，再将板块在空气中以 100℃/h的升温速度升温到1600℃后保温1h，再以冷却速度为100℃/h降到常温而制成。制靶时靶平面要求磨光，以免在溅射过程中出现热点。