CVD 技术中的各类成膜方法及特点
文章作者：广东振华科技
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发布时间：2024-06-04
依据在CVD工艺过程中参与反应气体压力的大小，反应程度的高低以及采用的化学手段的不同，可将所运用各种不同类型的CVD成膜方法分成不同类别，见表
| CVD方法分类 | 沉积速率/(μm/min) | 温度范围/℃ | 例实 |
常压高温 CVD法(NPCVD法) | 500~1500 | 600~1200 | SiCl4/H2 |
常压低温 CVD法 | 约100 | 200~500 | SiCl4/O2 |
低压高温CVD法(LPCVD法) | 约10 | — | SiH4(26.6Pa) |
低压低温CVD法(LPCVD法) | — | 600~700 | 450以下 |
等离子体增强CVD法(PEVCD法) | 8~150 | 约 500 | TiCl4/H2·N2 |
金属有机化合物VCD法(MOCVD法) | 20~60 | 500~600 | (CH3)Ga/(C2H5)Sb |
| 光辅助CVD法(PhotoniCVD法) | 约120 | — | WF4/H2 |
CVD技术具有如下一些特点；①设备的工艺操作较简单、灵活性较强，能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层;②CVD法的适用性较广泛，可制备各种金属或金属膜涂层;③因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米，因此生产效率高;④与PVD法相比较绕射性好，非常适宜涂覆形状复杂的基体，如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制成膜;⑤涂层致密性好，由于成膜过程温度较高，膜基界面上的附着力很强，故膜层十分牢固;⑥承受放射线辐射后的损伤较低，能与MOS集成电路工艺相融合。CVD技术的不足，一是沉积温度高，可达800~1100℃。在这样高的温度下工件易于变形，特别是对于那些不耐高温变化的高精度尺寸的工件，其用途会受到一定的限制;二是由于参与沉积的反应物质及反应后的气体大都具有易燃、易爆、有毒或是有一定腐蚀性，因此必须采取一定的防护措施。
——本文由真空镀膜设备厂家广东振华发布
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